LED原理及特性

發(fā)光原理

發(fā)光二管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物創新延展，如GaAs（砷化鎵）實施體系、GaP（磷化鎵）資料、GaAsP（磷砷化鎵）等半導(dǎo)體制成的開展面對面，其核心是PN結(jié)。因此它具有一般P-N結(jié)的I-N特性探索，即正向?qū)▽W習，反向截止、擊穿特性方法。此外行動力，在一定條件下，它還具有發(fā)光特性穩中求進。在正向電壓下統籌，電子由N區(qū)注入P區(qū)，空穴由P區(qū)注入N區(qū)協同控製。進(jìn)入對方區(qū)域的少數(shù)載流子（少子）一部分與多數(shù)載流子（多子）復(fù)合而發(fā)光振奮起來，如圖1所示。

假設(shè)發(fā)光是在P區(qū)中發(fā)生的利用好，那么注入的電子與價帶空穴直接復(fù)合而發(fā)光深入各系統，或者先被發(fā)光中心捕獲后，再與空穴復(fù)合發(fā)光系列。除了這種發(fā)光復(fù)合外作用，還有些電子被非發(fā)光中心（這個中心介于導(dǎo)帶、介帶中間附近）捕獲慢體驗，而后再與空穴復(fù)合著力增加，每次釋放的能量不大，不能形成可見光科技實力。發(fā)光的復(fù)合量相對于非發(fā)光復(fù)合量的比例越大處理，光量子效率越高。由于復(fù)合是在少子擴(kuò)散區(qū)內(nèi)發(fā)光的在此基礎上，所以光僅在靠近PN結(jié)面數(shù)μm以內(nèi)產(chǎn)生助力各行。

理論和實踐證明，光的峰值波長λ與發(fā)光區(qū)域的半導(dǎo)體材料禁帶寬度Eg有關(guān)自主研發，即

λ≈1240/Eg（mm）

式中Eg的單位為電子伏特（eV）首要任務。若能產(chǎn)生可見光（波長在380nm紫光～780nm紅光），半導(dǎo)體材料的Eg應(yīng)在3.26～1.63eV之間不同需求。比紅光波長長的光為紅外光發展。使用不普遍。

?特性

（1）允許功耗Pm:允許加于LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的大值總之。超過此值宣講活動，LED發(fā)熱、損壞。

（2）大正向直流電流IFm：允許加的大的正向直流電流效率。超過此值可損壞二管規模。

（3）大反向電壓VRm：所允許加的大反向電壓。超過此值講道理，發(fā)光二管可能被擊穿損壞發展目標奮鬥。

（4）工作環(huán)境topm:發(fā)光二管可正常工作的環(huán)境溫度范圍。低于或高于此溫度范圍更多的合作機會，發(fā)光二管將不能正常工作延伸，效率大大降低。

（5）打開電源時服務好，不會產(chǎn)生火花新趨勢，從而在危險空間不會因火花而發(fā)生爆炸的可能，達(dá)到防爆的效果共謀發展，所以叫防爆手電學習。